碳化硅MOSFET功率模块，SiC碳化硅功率模块，基本半导体-上海保迪电子有限公司 供应商采购详情与询价入口

专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFE,BASiC基本半导体碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块，单通道隔离驱动芯片BTD5350,双通道隔离驱动芯片BTD21520,单通道隔离驱动芯片（带VCE保护）BTD3011,BASiC基本半导体混合SiC-IGBT三电平模块应用于光伏逆变器，双向AC-DC电源，户用光伏逆变器，户用光储一体机，储能变流器，储能PCS,双向LLC电源模块，储能PCS-Buck-Boost电路，光储一体机,PCS双向变流器，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑等新能源领域。在光伏逆变器、光储一体机、储能变流器PCS、OBC车载充电器，热管理电动压缩机驱动器，射频电源，PET电力电子变压器，氢燃料空压机驱动，大功率工业电源，工商业储能变流器，变频器，变桨伺服驱动辅助电源，高频逆变焊机，高频伺服驱动，AI服务器电源，算力电源，数据中心电源，机房UPS等领域与客户战略合作，全力支持中国电力电子工业发展！ 基本半导体隔离驱动IC产品主要有BTD21520xx是一款双通道隔离门极驱动芯片，输出拉灌峰值电流典型值4A/6A，绝缘电压高达5000Vrms@SOW14封装、3000Vrms@SOP16封装，抗干扰能力强，高达100V/ns，低传输延时至45ns，分别提供 3 种管脚配置：BTD21520M提供禁用管脚（DIS）和死区设置（DT）,BTD21520S提供禁用管脚（DIS)，BTD21520E 提供单一PWM输入，副边VDD欠压保护点两种可选：分别是5.7V和8.2V。主要规格有BTD21520MAWR，BTD21520MBWR，BTD21520SAWR，BTD21520SBWR，BTD21520EAWR，BTD21520EBWR，‍BTD215…